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UMH3N
50V 100mA
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- 描述
- 此系列数字晶体管为双晶体管阵列，适用于替换多组分立器件及其外部电阻偏置网络。每个通道均为偏置电阻晶体管(BRT)，包含一个晶体管与单片偏置电阻网络集成在同一封装内，可减少外围元件数量、降低系统成本并节省PCB板空间。适用于多路开关、反相器及接口电路。
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- UMH3N
- 商品编号
- C51315483
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 600 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 6.11kΩ | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@5mA,0.25mA | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.5uA |
商品特性
- 一个封装内包含两个DTC143T芯片
- 晶体管元件相互独立，可消除干扰
- 安装成本和面积可减半