温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXFP18N65X2
1个N沟道 耐压:650V 电流:18A
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFP18N65X2
- 商品编号
- C520863
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.52nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
这些双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代双极型数字晶体管和小信号MOSFET。
商品特性
- 25 V、0.50 A连续电流、1.5 A峰值电流。漏源导通电阻RDS(ON) = 0.45 Ω，栅源电压VGS = 4.5 V；漏源导通电阻RDS(ON) = 0.60 Ω，栅源电压VGS = 2.7 V。
- 极低的栅极驱动要求，允许在3 V电路中直接工作（栅源开启电压VGS(th) < 1.5 V）。
- 具有栅源齐纳二极管，具备出色的静电放电（ESD）耐受性（人体模型>6 kV）。
- 采用紧凑的行业标准SC70 - 6表面贴装封装。
相似推荐
其他推荐