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IXFP18N65X2
1个N沟道 耐压:650V 电流:18A
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFP18N65X2
- 商品编号
- C520863
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这些双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代双极型数字晶体管和小信号MOSFET。
商品特性
- 国际标准封装
- 低RDS(ON)和 QG
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
-开关模式和谐振模式电源-DC-DC 转换器-PFC 电路-交流和直流电机驱动器-机器人技术和伺服控制
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