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IXFX66N85X
850V N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 特性：国际标准封装。低栅极电荷（QG）。雪崩额定。低封装电感。高功率密度。易于安装。应用：开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFX66N85X
- 商品编号
- C520865
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
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