- 引脚图
- 焊盘图
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WMO080N10LG4
WMO080N10LG4
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMO080N10LG4
- 商品编号
- C51037352
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 710pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
WMO080N10LG4采用了威兆的第四代功率沟槽MOSFET技术,该技术经过特别设计,可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 90 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(on) < 8 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(on) < 10 mΩ
- 提供环保器件
- 100%保证抗雪崩能力
- 针对高速平稳开关进行优化
应用领域
-电源管理开关-DC/DC转换器-同步整流