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AO3407B
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- YONGYUTAI(永裕泰)
- 商品型号
- AO3407B
- 商品编号
- C50917811
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V；40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 采用高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)
- 高速开关
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理