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HSW8205
2个N沟道 耐压:20V 电流:4.6A
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- 描述
- HSW8205是低导通电阻（RDSON）的沟槽型N沟道MOSFET。该产品适用于锂离子电池组应用。HSW8205符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSW8205
- 商品编号
- C518798
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 522pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSW8205是低导通电阻（RDSON）的沟槽型N沟道MOSFET。该产品适用于锂离子电池组应用。 HSW8205符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 锂离子电池组应用