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IMBG65R075M2HXTMA1
基于第二代碳化硅沟槽技术的SiC MOSFET，具备超低开关损耗、灵活驱动电压等特性，适用于SMPS、太阳能光伏逆变器等应用
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG65R075M2HXTMA1
- 商品编号
- C50759416
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 耗散功率(Pd) | 124W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 516pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 57pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ |
商品概述
基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术，650 V CoolSiC™ MOSFET 提供了无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计，以满足不断增长的系统和市场需求。
商品特性
- 超低开关损耗
- 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V
- 即使在栅极关断电压为 0 V 时，也能有效抵抗寄生导通
- 灵活的驱动电压，兼容双极驱动方案
- 在硬换相事件下，体二极管工作稳定
- 采用 .XT 互连技术，具备一流的热性能
应用领域
- 开关电源
- 太阳能光伏逆变器
- 储能和电池化成
- 不间断电源
- 电动汽车充电基础设施
- 电机驱动器