- 引脚图
- 焊盘图
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IGD70R200D2SAUMA1
高效氮化镓（GaN）晶体管，适用于电力转换，具备窄生产公差和高品质
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGD70R200D2SAUMA1
- 商品编号
- C50759987
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 91pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.21pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 15pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ |
商品概述
英飞凌的CoolGaN™是一款高效的700V氮化镓（GaN）晶体管，专为功率转换而设计。它能够实现更高的功率密度，支持降低系统物料清单成本，并有助于实现小型化外形。该产品采用200mm（8英寸）晶圆技术和全自动化生产线生产，具有窄生产公差和最高的产品质量。
商品特性
- 增强型晶体管
- 超快速开关
- 无反向恢复电荷
- 能够反向导通
- 低栅极和输出电荷
- 卓越的换向耐用性
- 2kV HBM ESD标准
应用领域
零电流开启的消费类QR应用，如充电器、适配器、电视电源、家用电器（不推荐用于硬开关拓扑）