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SSM6J214FE(TE85L,F
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.6A
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- 描述
- 特性：1.8V驱动。 低导通电阻：RDS(ON) = 146.6mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)；RDS(ON) = 77.6mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)；RDS(ON) = 57.0mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)；RDS(ON) = 50.0mΩ（最大值）(VGS =-10V)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J214FE(TE85L,F
- 商品编号
- C516172
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 1.8 V drive
- 低ON - resistance: RDS(ON)=149.6 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
- RDS(ON)=77.6 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
- RDS(ON)=57.0 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
- RDS(ON)=50.0 mΩ (max) (@VGS = -10 V)
优惠活动
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