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SPC4N65G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,2A | |
| 功率(Pd) | 22.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 610pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 48pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏极电流 (ID) = 4 A（栅源电压 (Vgs) = 10 V）
- 超低栅极电荷
- 改善的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- PWM 电机控制
- 直流到直流转换器
- LED 照明
- 桥接电路
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