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SPA65R72G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 72mΩ@10V,24A | |
| 功率(Pd) | 417W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.655nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 5.1pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏极电流（ID） = 47 A（栅源电压Vgs = 10 V）
- 超低栅极电荷
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 服务器和电信电源
- 焊接及电池充电器
- 太阳能（光伏逆变器）
- 交流/直流桥式电路
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