商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
功率(Pd) | 33.8W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V,15A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 65nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.01nF@200V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2.5pF@200V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |