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DSPIC33EP64GS506-I/PT

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描述: 特性：工作条件：3.0V 至 3.6V，-40°C 至 +85°C，直流至 70 MIPS；3.0V 至 3.6V，-40°C 至 +125°C，直流至 60 MIPS。闪存架构：双分区闪存程序存储器，支持实时更新（64 KB 设备），支持操作时编程，支持分区软交换。内核：16 位 dsPIC33E CPU，代码高效（C 和汇编）架构，两个 40 位宽累加器，单周期（MAC/MPY）双数据提取，单周期混合符号乘法加硬件除法，32 位乘法支持，两个额外工作寄存器组（减少上下文切换）。
品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: DSPIC33EP64GS506-I/PT
商品编号: C514082
商品封装: TQFP-64(10x10)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.28克(g)

商品参数

商品特性

工作条件：3.0V 至 3.6V，-40°C 至 +85°C，DC 至 70 MIPS；3.0V 至 3.6V，-40°C 至 +125°C，DC 至 60 MIPS
闪存架构：双分区闪存程序存储器，支持实时更新（64-Kbyte 设备），支持运行时编程，支持分区软交换
核心：16 位 dsPIC33E CPU，代码高效（C 和汇编）架构，两个 40 位宽累加器，单周期（MAC/MPY）双数据提取，单周期混合符号乘法加硬件除法，32 位乘法支持，两个额外工作寄存器组（减少上下文切换）
时钟管理：±0.9% 内部振荡器，可编程 PLL 和振荡器时钟源，故障安全时钟监视器（FSCM），独立看门狗定时器（WDT），快速唤醒和启动
电源管理：低功耗管理模式（睡眠、空闲、打盹），集成上电复位和欠压复位，0.5 mA/MHz 动态电流（典型值），10 μA IPD 电流（典型值）
高速 PWM：五个 PWM 发生器（每个发生器两个输出），每个 PWM 有独立时基和占空比，1.04 ns PWM 分辨率（频率、占空比、死区时间和相位），支持中心对齐、冗余、互补和真正独立输出模式，独立故障和电流限制输入，输出覆盖控制，支持 AC/DC、DC/DC、逆变器、PFC 和照明
高级模拟特性：高速 ADC 模块，12 位，4 个专用 SAR ADC 核心和 1 个共享 SAR ADC 核心，每个 ADC 核心可配置分辨率（高达 12 位），12 位分辨率下每通道高达 3.25 Msps 转换速率，12 至 22 个单端输入，每个模拟通道有专用结果缓冲区，灵活独立的 ADC 触发源，两个数字比较器，两个过采样滤波器以提高分辨率，四个带滞回的轨到轨比较器，每个模拟比较器有专用 12 位数字 - 模拟转换器（DAC），高达两个 DAC 参考输出，高达两个外部参考输入，两个可编程增益放大器，单端或独立接地参考，五个可选增益（4x、8x、16x、32x 和 64x），40 MHz 增益带宽
互连 SMPS 外设：减少 CPU 交互以提高性能，灵活的 PWM 触发选项用于 ADC 转换，高速比较器截断 PWM（典型 15 ns），支持逐周期电流模式控制，电流复位模式（可变频率）
定时器/输出比较/输入捕获：五个 16 位和多达两个 32 位定时器/计数器，四个输出比较（OC）模块，可配置为定时器/计数器，四个输入捕获（IC）模块
通信接口：两个 UART 模块（15 Mbps），支持 LIN/J2602 协议和 IrDA，两个 4 线 SPI 模块（15 Mbps），两个 I²C 模块（高达 1 Mbaud），支持 SMBus
资格认证和 B 类支持：AEC - Q100 REVG（1 级，-40°C 至 +125°C），B 类安全库，IEC 60730，6×6×0.5 mm UQFN 封装设计并优化以简化 IPC9592B 二级温度循环认证
输入/输出：恒流源（标称 10 μA），灌/拉电流分别高达 12mA/15mA，标准 VoH/VOL 引脚特定，5V 容限引脚，可选开漏上拉和下拉，所有 I/O 引脚外部中断，外设引脚选择（PPS）允许通过六个虚拟 I/O 进行功能重映射
调试器开发支持：在线和应用内编程，五个程序和三个复杂数据断点，IEEE 1149.2 兼容（JTAG）边界扫描，跟踪和运行时监视

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	数字信号处理器(DSP/DSC)
	最大主频	-
	FLASH容量	64KB
	ROM容量	-

	属性	参数值
	I/O数量	53
	工作电压	3V~3.6V
	工作温度	-40℃~+125℃