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HL4N65R
N沟道650V平面MOSFET
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- 描述
- 平面,N管,Vdss 650V,Id 4A,Rds 2.2Ω,Vth 3.5V,Ciss 518pF
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- HL4N65R
- 商品编号
- C50331907
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 518pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
商品特性
- 平面MOSFET
- 出色的导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准的绿色环保产品,无铅