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HD304P140S
40V 50A
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- 描述
- 特性：漏源电压（VDS）：40V。 漏极电流（ID）：50A。 栅源电压为10V时的导通电阻（RDS(on)@VGS = 10V）：< 14mΩ。 栅源电压为4.5V时的导通电阻（RDS(on)@VGS = 4.5V）：< 18mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：DC-DC转换器。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD304P140S
- 商品编号
- C50327547
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.765nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -40 V
- 漏极电流(ID) = -50 A
- 栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 14 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 18 mΩ
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 负载开关
- 电源管理
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