商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 135W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.388nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 150 V
- 漏极电流(ID) = 70 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 12 mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 电压控制小信号开关
- 开关速度快
应用领域
-功率开关应用-直流-直流转换器-电源管理