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HSCM040120L
N沟道碳化硅功率MOSFET，1200V，40mΩ，65A
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- 描述
- N沟道，漏源电压：1200V，连续漏极电流：65A，导通电阻：52mΩ@18V，耗散功率：375W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- HSCM040120L
- 商品编号
- C50325451
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 86pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ |
商品特性
- 高阻断电压与低导通电阻
- 高速开关与低电容
- 易于并联且驱动简单
- 雪崩鲁棒性
- 无铅
应用领域
- 太阳能逆变器
- 开关模式电源
- 高压DC/DC变换器
- 电动汽车充电
- 电机驱动