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HGV6002AIMM/TR

微功耗1.5MHz、低噪声、RRIO、1.8V CMOS放大器

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描述
Micro-Power 1.5MHz, Low-Noise, RRIO,1.8V CMOS Amplifiers
品牌名称
HGSEMI(华冠)
商品型号
HGV6002AIMM/TR
商品编号
C50314588
商品封装
MSOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.257克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录运算放大器
放大器数2
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBW)1.5MHz
输入失调电压(Vos)500uV
输入失调电压温漂(Vos TC)1uV/℃
压摆率(SR)1.2V/us
输入偏置电流(Ib)1pA
输入失调电流(Ios)1pA
属性参数值
输入电压噪声密度(eN)25nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)83dB
静态电流(Iq)75uA
输出电流45mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源电压1.8V~5.5V
双电源电压(Vee~Vcc)-2.75V~-900mV;900mV~2.75V
功能特性EMI滤波/RF抑制

商品概述

HGV600xA系列单通道、双通道和四通道运算放大器专为通用成本敏感型系统和应用而设计。其具备轨到轨输入和输出摆幅、低静态电流(典型值75μA)、宽带宽(1.5 MHz)以及极低噪声(1 kHz下为25 nV/√Hz)等特点,使其在需要成本与性能良好平衡的各种电池供电应用中极具吸引力,例如音频输出、消费电子、烟雾探测器、便携式医疗设备和白色家电。低输入偏置电流支持这些放大器用于具有兆欧级源阻抗的应用。HGV600xA放大器的稳健设计为电路设计人员提供了易用性:单位增益稳定,可驱动高达500 pF的容性负载,集成了射频/电磁干扰抑制滤波器,过驱条件下无相位反转,以及高静电放电保护(5kV HBM)。HGV600xA放大器针对低至+1.8 V(±0.9 V)至高至+5.5 V(±2.75 V)的电压范围在0°C至70°C温度下工作进行了优化,并可在+2.0 V(±1.0 V)至+5.5 V(±2.75 V)的电压范围内在扩展温度范围-40°C至+125°C下工作。

商品特性

  • 适用于成本敏感型系统的精密放大器
  • 低噪声:1 kHz下为25 nV/√Hz
  • 低输入失调电压:0.5 mV
  • 1.5 MHz增益带宽积,单位增益稳定
  • 微功耗:每个放大器静态电流为75 μA
  • 单电源电压范围:1.8 V 至 5.5 V(工作温度0°C 至 70°C)
  • 轨到轨输入和输出
  • 内部射频/电磁干扰滤波器
  • 扩展温度范围:-40°C 至 +125°C

应用领域

  • 电池供电仪器
  • 无线传感器
  • 传感器信号调理

数据手册PDF