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AON6280-TP实物图
  • AON6280-TP商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AON6280-TP

N沟道增强型MOSFET

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描述
特性:先进的沟槽单元设计。 低热阻。 低栅极电荷。应用:电机/车身负载控制。 负载开关
商品型号
AON6280-TP
商品编号
C50314223
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)85A
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36.5nC@10V
输入电容(Ciss)4.194nF
反向传输电容(Crss)31pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)665pF

商品特性

  • 先进沟槽单元设计
  • 低热阻
  • 低栅极电荷

应用领域

  • 电机/车身负载控制
  • 负载开关
  • PWM应用
  • 直流-直流转换器和离线式UPS

数据手册PDF