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BMF65N100UC1
N沟道 650V 35A
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- 描述
- 超结 MOSFET,650V,35A,100mΩ@10V
- 商品型号
- BMF65N100UC1
- 商品编号
- C50198507
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BMF65N100UC1是一款功率MOSFET,采用了Bestirpower先进的超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 通过采用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰(EMI)优势,同时具备低开关损耗。
商品特性
- 超快体二极管。
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低。
- 极高的换向鲁棒性。
应用领域
- 交流/直流电源。
- 电脑电源。
- 电信/服务器。
- 太阳能逆变器。