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MDDG04R01L
40V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 40V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDDG04R01L
- 商品编号
- C50176502
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 320A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.55nF |
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