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SI2300
场效应管(MOSFET)
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- 描述
- 使用先进沟槽技术，可提供出色的导通电阻。该器件适合用作单向或双向负载开关。
- 品牌名称
- SEP(威旺)
- 商品型号
- SI2300
- 商品编号
- C50176482
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V；73mΩ@1.8V；30mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 164pF |
商品特性
- 漏源击穿电压VDSS = 20 V
- 漏极电流ID = 6.0 A
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(on) < 30 m Ω
- 当栅源电压VGS = 2.5 V时,导通电阻RDS(on) < 40 m Ω
- 当栅源电压VGS = 1.8 V时,导通电阻RDS(on) < 73 m Ω