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2N7002
N沟道 60V 300mA
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- 描述
- 特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 3Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等
- 品牌名称
- SEP(威旺)
- 商品型号
- 2N7002
- 商品编号
- C50176485
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.75Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.55V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60 V,漏极电流(ID) = 0.3 A
- 当栅源电压(VGS) = 4.5 V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 3 Ω
- 当栅源电压(VGS) = 10 V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 2.2 Ω
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
- 静电放电等级:人体模型(HBM) ≥1500V
应用领域
- 直接逻辑电平接口:晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器