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CRSM088N12N引脚图
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CRSM088N12N

N沟道 120V 71A

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品牌名称
华润华晶
商品型号
CRSM088N12N
商品编号
C49705104
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
-
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)71A
导通电阻(RDS(on))7.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)79.1W
阈值电压(Vgs(th))3.8V
栅极电荷量(Qg)48nC
属性参数值
输入电容(Ciss)3.501nF
反向传输电容(Crss)28.3pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)425pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 采用CRM(CQ)先进的SkyMOS3技术
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 出色的Qg × RDS(on)乘积(品质因数FOM)
  • 符合JEDEC标准

应用领域

  • 电机控制与驱动
  • 电池管理
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF

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