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GC300N65K
N沟道增强型功率MOSFET，采用超结技术，适用于AC-DC SMPS、PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC300N65K
- 商品编号
- C49498713
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.399克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 132W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
GC300N65K采用先进的超结技术和设计，提供优异的导通电阻、低栅极电荷和操作性能。该器件适用于工业AC-DC开关电源的功率因数校正、交直流电源转换以及工业电源应用。
商品特性
- 漏源电压V_DS：650V
- 漏极电流I_D（在V_GS = 10V条件下）
- 导通电阻R_DS(on)（在V_GS = 10V条件下）：320mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- 直流-直流转换器