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G065C03D52
N沟道和P沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G065C03D52
- 商品编号
- C49498718
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A；35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V；11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W；48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC；52nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF；2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 188pF；330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF；340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- NMOS
- VDS 30V
- ID (at VGS = 10V) 65A
- RDS(ON) (at VGS = 10V) < 8.5mΩ
- RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 12mΩ
- 100% 雪崩测试
- 符合RoHS标准
- PMOS
- VDS -30V
- ID (at VGS = -10V) -35A
- RDS(ON) (at VGS = -10V) < 12mΩ
- RDS(ON) (at VGS = -4.5V) < 17mΩ
- 100% 雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器