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FDMC6679AZ-TP
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS为30V。 ID（在VGS = -10V时）为50A。 RDS(ON)（在VGS = -10V时） ≤ 9mΩ（典型值）。应用：反向电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDMC6679AZ-TP
- 商品编号
- C49452325
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.168克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V；15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 421pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 508pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS）：-30 V
- 漏源电流（IDS）（栅源电压VGS = -10V时）：-50A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -10V时）：≤ 9mΩ（典型值）
应用领域
- 反接电池保护
- 负载开关
- 电源管理
- 脉宽调制（PWM）应用