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WPM3028-TP实物图
  • WPM3028-TP商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WPM3028-TP

P沟道增强型MOSFET

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描述
适合在 VGS = -10V 时,承受 30V 的漏源电压,40A 的电流,且导通电阻 ≤13mΩ。
商品型号
WPM3028-TP
商品编号
C49452334
商品封装
PDFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.245克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V;18mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)20W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)42nC@10V
输入电容(Ciss)2.7nF
反向传输电容(Crss)265pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)350pF

应用领域

  • 反接电池保护-负载开关-电源管理-PWM 应用

数据手册PDF