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PTQ15C03
N和P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：低RDS(on)@VGS = 5V。5V逻辑电平控制。N + P双信道。PDFN3333封装。无铅，符合RoHS标准。应用：DC风扇。无刷电机
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTQ15C03
- 商品编号
- C49384060
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A；15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V；25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V；15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF；584pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 139pF；96pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF；112pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 10 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 18 mΩ（典型值：15.5 mΩ）
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）。
- 出色的封装，散热性能良好。
- 湿敏等级3（MSL3）