温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XR30N02S
N沟道 20V 30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证雪崩能量，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR30N02S
- 商品编号
- C49363220
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.183167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 416pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品概述
XR30N02S是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。XR30N02S符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术