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VBM2603
P沟道；电压：-60V；电流：-120A；导通电阻：3(mΩ)
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- 描述
- 特性：沟槽功率MOSFET。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：DC/DC初级开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM2603
- 商品编号
- C49363253
- 商品封装
- TO220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V；3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 760pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 975pF |
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