LMG2656RFBR

LMG2656是一款耐压650V，导通电阻230mΩ的GaN功率场效应管半桥。LMG2656将半桥功率场效应管、栅极驱动器、自举场效应管和高侧栅极驱动电平移位器集成在一个6mm × 8mm的QFN封装中，可简化设计、减少元件数量并减小电路板空间。可编程开通压摆率可实现EMI和振铃控制。与传统电流采样电阻相比，低侧电流采样仿真降低了功耗，并且允许将低侧散热焊盘连接到PCB电源地。高侧GaN功率场效应管可通过低侧参考栅极驱动引脚(INH)或高侧参考栅极驱动引脚(GDH)控制。高侧栅极驱动电平移位器可在严苛的功率开关环境中可靠地将INH引脚信号传输到高侧栅极驱动器。智能开关GaN自举场效应管没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充电，且零反向恢复电荷。LMG2656支持转换器轻负载效率要求，具有低静态电流和快速启动时间的突发模式操作。保护功能包括场效应管开通互锁、欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。极低压摆率设置支持电机驱动应用。

• 650V GaN功率场效应管半桥
• 低侧和高侧GaN场效应管导通电阻均为230mΩ
• 集成栅极驱动器，传播延迟小于100ns
• 可编程开通压摆率控制
• 高带宽、高精度电流采样仿真
• 低侧参考(INH)和高侧参考(GDH)高侧栅极驱动引脚
• 低侧(INL)/高侧(INH)栅极驱动互锁
• 高侧(INH)栅极驱动信号电平移位器
• 智能开关自举二极管功能
• 高侧启动时间小于8μs
• 低侧/高侧逐周期过流保护
• 过热保护
• AUX空闲静态电流: 250μA
• AUX待机静态电流: 50μA
• BST空闲静态电流: 70μA
• 8mm × 6mm QFN封装，带双散热焊盘

• AC/DC适配器和充电器
• AC/DC辅助电源
• 移动墙充设计
• USB墙插电源