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OSG60R074HSZF-F
N沟道 600V 47A
- 商品型号
- OSG60R074HSZF-F
- 商品编号
- C49304232
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.993333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.982nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 354pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和更低的栅极电荷。其设计旨在最小化导通损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。GreenMOS Z系列集成了快速恢复二极管，以最小化反向恢复时间。它适用于谐振开关拓扑，以实现更高的效率、更高的可靠性和更小的外形尺寸。
商品特性
- 低Rds(on)和FOM
- 极低的开关损耗
- 优异的稳定性和一致性
- 超快且坚固的体二极管
应用领域
- 个人计算机电源
- 电信电源
- 服务器电源
- 电动汽车充电器
- 电机驱动器