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3N10
N沟道 100V 2A
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- 描述
- 特性：Trench Power MV MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
- 品牌名称
- YONGYUTAI(永裕泰)
- 商品型号
- 3N10
- 商品编号
- C49270362
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V；280mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 387pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
IRF9530NS采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电源管理功能