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SP6026CTM
中低压N+P MOSFET
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- 描述
- 中低压N+PMOSFET产品，耐压：60V，电流：N 20A/P 18A，RDSON：N 25mR/P 57mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP6026CTM
- 商品编号
- C49257246
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48936克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；18A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V；20nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.09nF；1.165nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF；58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF；53pF |
商品特性
- 高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理