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SP60P08GNK
中低压SGT MOSFET
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- 描述
- 中低压SGT MOSFET产品，P沟道，耐压：60V，电流：-75A，RDSON：8mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP60P08GNK
- 商品编号
- C49257262
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2363克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | -60V | |
| 连续漏极电流(Id) | -75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | -2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.79nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 913pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |