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BUK9Y1R9-40H-VB
N沟道；电压：40V；电流：150A；导通电阻：0.7(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；LFPAK56；N—Channel沟道；40V；150A；RDS(ON)=0.7(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BUK9Y1R9-40H-VB
- 商品编号
- C49253695
- 商品封装
- LFPAK56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.7mΩ@10V；0.8mΩ@7.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.65nF |
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