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PSMN1R4-40YLD-VB
N沟道；电压：40V；电流：150A；导通电阻：0.7(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；LFPAK56；N—Channel沟道；40V；150A；RDS(ON)=0.7(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PSMN1R4-40YLD-VB
- 商品编号
- C49253699
- 商品封装
- LFPAK56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- SGT功率MOSFET
- 100%进行了栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 同步整流
- 电源
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