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MGP055N10N
耐压:100V 电流:122A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽MOS技术。 100% EAS保证。 快速开关速度。 提供绿色器件。应用：DC/DC转换器。 高频开关和同步整流
- 品牌名称
- Megain(美佳音)
- 商品型号
- MGP055N10N
- 商品编号
- C49242757
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.697708克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 122A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 925pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可应用于多种领域。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 50 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 15 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能优异