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MGC031N06L
N沟道 耐压:60V 电流:85A
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- 描述
- 特性：超低栅极电荷。 100% EAS保证。 出色的CdV/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：电机驱动。 电动工具
- 品牌名称
- Megain(美佳音)
- 商品型号
- MGC031N06L
- 商品编号
- C49242752
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.197421克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@4.5V；3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.458nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.522nF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -100 V，漏极电流（ID） = -12 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 200 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能出色