温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MGD60P06L
P沟道 耐压:60V 电流:18A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：超低位栅极电荷。 100% EAS 保证。 有环保器件可供选择。 出色的 CdV/dt 效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：负载开关。 PWM 应用
- 品牌名称
- Megain(美佳音)
- 商品型号
- MGD60P06L
- 商品编号
- C49242750
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.512842克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.86nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.447nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 97.3pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40V，漏极电流（ID） = -35A，在栅源电压（VGS） = -10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 16mΩ，典型值为12mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 采用散热性能良好的优质封装