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SE1V8FBN102
瞬态电压抑制器
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- 描述
- 特性：峰值脉冲功率110瓦（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 接触放电 ±30kV，空气放电 ±30kV。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
- 品牌名称
- SSGSEMI(世晶半导体)
- 商品型号
- SE1V8FBN102
- 商品编号
- C49206803
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 1.8V | |
| 钳位电压 | 9V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 12A@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 110W@8/20us | |
| 击穿电压 | 3.2V | |
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| Cj-结电容 | 35pF |