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GT045N10Q
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：145A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：3.8mΩ@10V 5.2mΩ@4.5V @@封装：TO-247
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT045N10Q
- 商品编号
- C49101685
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.496克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 145A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V；6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V
- 漏极电流（ID） = 8 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(on)） < 15 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 25 mΩ
- 高功率和高电流处理能力
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理
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