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GT055N06T
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：90A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：4.1mΩ@10V 5.7mΩ@4.5V @@封装：TO-220
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT055N06T
- 商品编号
- C49101689
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.804克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@4.5V；4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 617pF |
商品概述
GT055N06T采用先进的沟槽技术，提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：60V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = 10V时）：90A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = 10V时）：< 5mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = 4.5V时）：< 7mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
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