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5N10
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 低导通电阻(RDS(on))和品质因数(FOM)
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 快速开关和软恢复特性
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流-直流(DC/DC)转换器
- 逆变器