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MJD44H11T4G-CN
8A 80V
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- 描述
- 封装: TO-252-2(DPAK) 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic):1000mA 集射极击穿电压(Vceo):80V 功率: 20W
- 品牌名称
- ChipNobo(无边界)
- 商品型号
- MJD44H11T4G-CN
- 商品编号
- C49006717
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44328克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 集电极电流(Ic) | 8A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 特征频率(fT) | 50MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@8A,0.4A | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 配置 | 独立式 |
商品特性
- 低集电极-发射极饱和电压
- 快速开关速度
应用领域
- 功率放大器
- 开关电路