温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
OSG65R580FF
650V 8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用电荷平衡技术，实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。通用系列针对极致开关性能进行了优化，以最大限度地降低开关损耗。专为高功率密度应用而设计，以满足最高效率标准。
- 商品型号
- OSG65R580FF
- 商品编号
- C49005840
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.621154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 464pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.47pF | |
| 输出电容(Coss) | 38.3pF |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。它旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS通用系列针对极致开关性能进行了优化，以最大限度地降低开关损耗。它专为高功率密度应用而设计，以满足最高效率标准。
商品特性
- 低RDS(ON)和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
应用领域
- 电脑电源
- LED照明
- 电信电源
- 服务器电源
- 电动汽车充电器
- 太阳能/不间断电源（UPS）