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OSG65R260FSF
700V 15A
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- 描述
- 高压MOSFET利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。S系列针对其开关特性进行了优化，以达到严格的EMI标准。易于用于较小的电源系统，以同时满足效率和EMI标准。
- 商品型号
- OSG65R260FSF
- 商品编号
- C49005831
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.648566克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.227nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.1pF | |
| 输出电容(Coss) | 100.2pF |
商品概述
IRFR220NTRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 IRFR220NTRPBF(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 200V，漏源导通电阻 = 466 mΩ（典型值）@VGS = 10V
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换