温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQPF8N65C
650V N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- BVDSS=650V,ID=7A，RDS(on):1.30Ω(Max)@VG=10V
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- FQPF8N65C
- 商品编号
- C48997867
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.404克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品特性
- 40V/12.5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) = 11.5 mΩ（最大值）
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 14.5 mΩ（最大值）
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 台式计算机电源管理或DC/DC转换器。