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FDG327N-TP
20V N沟道MOSFET
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- 描述
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDG327N-TP
- 商品编号
- C48995518
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 420mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
IRLR9343PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 60V ID = - 10A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 140mΩ
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源
- TO252-2L (DPAK)
- P沟道MOSFET